MANUFACTURING METHOD OF RUTHENIUM-CONTAINING THIN FILM

To provide a manufacturing method capable of more easily manufacturing a ruthenium-containing thin film in a region selective manner by a CVD method or an ALD method.SOLUTION: A manufacturing method of a ruthenium-containing thin film by a CVD method or an ALD method using a ruthenium compound as a...

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Hauptverfasser: YAMAMOTO ARINORI, EBIHARA RYOSUKE, HAYAKAWA TEPPEI
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To provide a manufacturing method capable of more easily manufacturing a ruthenium-containing thin film in a region selective manner by a CVD method or an ALD method.SOLUTION: A manufacturing method of a ruthenium-containing thin film by a CVD method or an ALD method using a ruthenium compound as a raw material manufactures the ruthenium-containing thin film in a region selective manner using a ruthenium compound and one or more types of a reduction gas.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】CVD法又はALD法により、より簡便に領域選択的にルテニウム含有薄膜を製造することができる、製造方法を提供すること。【解決手段】ルテニウム化合物を原料として使用した、CVD法又はALD法によるルテニウム含有薄膜の製造方法であって、ルテニウム化合物と1種類以上の還元性ガスとを使用し、領域選択的にルテニウム含有薄膜を製造することを特徴とする、ルテニウム含有薄膜の製造方法により解決する。【選択図】 図1