METHOD OF EVALUATING GETTERING ABILITY OF SILICON WAFER

To provide a method of evaluating the gettering ability of a silicon wafer, capable of improving the accuracy of evaluation of inferior gettering ability even if diffusion heat treatment for metal impurities is performed at low temperatures and a simple evaluation method in which only part of the front surface of a silicon wafer is observed is adopted.SOLUTION: Gettering ability of oxygen precipitates to metal impurities in a silicon wafer that has oxygen precipitates formed at the inside thereof is evaluated by subjecting the silicon wafer to an intentionally contaminating process with the metal impurities, diffusion heat treatment at a temperature of 850°C or below, a selective etching process, and an observation process with a microscope. The intentionally contaminating process is performed under such conditions that a coverage rate α of a shallow pit aggregation according to a predetermined definition on the front surface of a silicon wafer is 1.5×10-2 or more when gettering ability of the silicon wafer is inferior.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】低温で金属不純物の拡散熱処理を行い、かつ、シリコンウェーハのおもて面の一部分のみを観察する簡易なゲッタリング能力評価方法を採用した場合でも、ゲッタリング能力に劣るとの評価の精度を高めることが可能な、シリコンウェーハのゲッタリング能力評価方法を提供する。【解決手段】内部に酸素析出物が形成されたシリコンウェーハに対して、金属不純物による故意汚染工程、８５０℃以下の拡散熱処理、選択エッチング工程、顕微鏡での観察工程を行い、シリコンウェーハにおける酸素析出部による金属不純物に対するゲッタリング能力の評価を行う。故意汚染工程は、シリコンウェーハのゲッタリング能力が劣る場合に、シリコンウェーハのおもて面における所定の定義に従うシャローピット集団の被覆率αが１．５×１０－２以上となる条件下にて行う。【選択図】図１