MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
To improve the performance of a semiconductor device.SOLUTION: To manufacture a semiconductor device, a semiconductor chip CPH is mounted on a die pad DPH of a lead frame LF through a conductive paste type adhesive BHD and a first thermal process is performed to cure the adhesive BDH. After that, a...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | To improve the performance of a semiconductor device.SOLUTION: To manufacture a semiconductor device, a semiconductor chip CPH is mounted on a die pad DPH of a lead frame LF through a conductive paste type adhesive BHD and a first thermal process is performed to cure the adhesive BDH. After that, a metal plate MP1 is disposed on a pad PDHS of the semiconductor chip CPH so as to face the pad PHDS of the semiconductor chip CPH through a conductive paste type adhesive BD1, and then a second thermal process is performed to cure the adhesive BDH and the adhesive BD1. A thermal process time of the first thermal process is shorter than that of the second thermal process. The adhesive BDH is further cured by the second thermal process after being cured in the first thermal process.SELECTED DRAWING: Figure 21
【課題】半導体装置の性能を向上させる。【解決手段】半導体装置を製造するには、リードフレームLFのダイパッドDPH上に、導電性ペースト型の接着材BDHを介して半導体チップCPHを搭載してから、接着材BDHを硬化させるための第1熱処理を行う。その後、導電性ペースト型の接着材BD1を介して半導体チップCPHのパッドPDHSと対向するように、金属板MP1を半導体チップCPHのパッドPDHS上に配置してから、接着材BDHおよび接着材BD1を硬化させるための第2熱処理を行う。第1熱処理の熱処理時間は、第2熱処理の熱処理時間よりも短い。接着材BDHは、第1熱処理により硬化した後、第2熱処理により更に硬化する。【選択図】図21 |
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