SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide a semiconductor device capable of reducing power consumption.SOLUTION: A semiconductor device according to an embodiment includes: a first electrode, an n-type first semiconductor region, a p-type second semiconductor region, an n-type third semiconductor region, a gate electrode, and a second electrode. The first semiconductor region is provided on the first electrode. The second semiconductor region is provided on the first semiconductor region and includes a first contact region. The third semiconductor region is provided on a portion of the second semiconductor region. The third semiconductor region includes a second contact region. A concentration of a first element in the second contact region is less than a concentration of the first element in the first contact region. The first element is at least one selected from the group consisting of platinum group elements and gold. The gate electrode faces the second semiconductor region via a gate insulating layer. The second electrode is provided on the second and third semiconductor regions and is in contact with the first and second contact regions.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】消費電力を低減可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第１電極と、ｎ形の第１半導体領域と、ｐ形の第２半導体領域と、ｎ形の第３半導体領域と、ゲート電極と、第２電極と、を備える。第１半導体領域は、第１電極の上に設けられている。第２半導体領域は、第１半導体領域の上に設けられ、第１コンタクト領域を含む。第３半導体領域は、第２半導体領域の一部の上に設けられている。第３半導体領域は、第２コンタクト領域を含む。第２コンタクト領域における第１元素の濃度は、第１コンタクト領域における第１元素の濃度よりも低い。第１元素は、金及び白金属元素からなる群より選択された少なくとも１つである。ゲート電極は、ゲート絶縁層を介して第２半導体領域と対面する。第２電極は、第２半導体領域及び第３半導体領域の上に設けられ、第１コンタクト領域及び第２コンタクト領域と接する。【選択図】図１