METHOD OF FORMING DIFFERENT TYPES OF MEMORY DEVICES

To provide a semiconductor device.SOLUTION: A semiconductor device according to the present disclosure includes: a first conductive feature and a second conductive feature in a first dielectric layer; a buffer layer over the first dielectric layer; a second dielectric layer over the buffer layer; a first bottom through-hole extending through the buffer layer and the second dielectric layer; a second bottom through-hole extending through the buffer layer and the second dielectric layer; a first bottom electrode disposed on the first bottom through-hole; a second bottom electrode disposed on the second bottom through-hole; a first magnetic tunnel junction (MTJ) stack over the first bottom electrode and having the first width; and a second MTJ stack over the second bottom electrode and having the same thickness as the first MTJ stack but having the second width greater than the first width.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、第１の誘電体層に位置する第１の導電性フィーチャ及び第２の導電性フィーチャと、第１の誘電体層の上方に位置するバッファ層と、バッファ層の上方に位置する第２の誘電体層と、バッファ層及び第２の誘電体層を貫通して延びる第１の底部貫通孔と、バッファ層及び第２の誘電体層を貫通して延びる第２の底部貫通孔と、第１の底部貫通孔に配置された第１の底部電極と、第２の底部貫通孔に配置された第２の底部電極と、第１の底部電極の上方に位置し、第１の幅を有する第１の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）スタックと、第２の底部電極の上方に位置し、第１のＭＴＪスタックと同じ厚さを有するが、第１の幅より大きい第２の幅を有する第２のＭＴＪスタックと、を含む。【選択図】図１