APPARATUS FOR FORMING DIAMOND BY HIGH FREQUENCY PLASMA CVD

To provide an apparatus for forming a diamond by high frequency plasma CVD, capable of solving the problems that a microwave plasma CVD apparatus and a hot filament CVD apparatus, etc., are developed for forming a diamond film as a power semiconductor material, but it is difficult for the former to form a large area due to the restrictions of a wavelength and difficult for latter to deposit a film at high speed by having a trade-off relation between high temperature for generating thermal electrons at high density and the control of substrate temperature.SOLUTION: An apparatus for forming a diamond by high frequency plasma CVD includes: a radiation heating combination plasma generation electrode capable of combining the radiation heating of a substrate and the generation of high frequency plasma; a DC power supply including a coil for intercepting the intrusion of high frequency power; and an RF power supply including a capacitor for intercepting the intrusion of DC power. The respective supplies of the direct current and high frequency power from the DC power supply and the RF power supply to the electrode can form the mixed gas of methane and hydrogen served as material gas into plasma to form a diamond.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】パワー半導体材料としてのダイヤモンド膜の形成のために、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置及び熱フィラメントＣＶＤ装置等が開発されている。前者は波長の制約により大面積化が困難であり、後者は熱電子の発生の高密度化のための高温化と基板温度の制御がトレードオフの関係にあることにより、高速成膜化が困難という課題がある。この問題を解決可能な高周波プラズマＣＶＤによるダイヤモンド形成装置を提供すること。【解決手段】基板の輻射加熱と高周波プラズマの発生を兼備する輻射加熱兼用プラズマ発生電極と、高周波電力の侵入を遮断するコイルを備えた直流電源と、直流電力の侵入を遮断するコンデンサーを備えた高周波電源と、を具備し、前記電極に前記直流電源及び前記高周波電源からそれぞれに直流及び高周波電力を供給することにより、原料ガスであるメタンと水素の混合ガスをプラズマ化して、ダイヤモンドを形成することを特徴とする。【選択図】図１