CHARACTERISTIC ESTIMATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide a characteristic estimation method of a semiconductor device which shortens an insulation layer opening formation treatment condition determination time.SOLUTION: In a characteristic estimation method of a semiconductor device, a step of manufacturing a first actual device and acquiring the variation amount ΔVth of the threshold voltage for the first actual device forms a first insulation layer on a first epitaxial substrate, forms a first opening in the first insulation layer, forms a first gate electrode therein, and measures the variation amount of the threshold voltage. A step of manufacturing a second actual device and acquiring the variation amount of the threshold voltage for the second actual device forms a second insulation layer on a second epitaxial substrate, forms a second opening in the second insulation layer, forms a second gate electrode therein, and measures the variation amount of the threshold voltage. The method further includes steps of; acquiring a first damage index; acquiring a second damage index; calculating a correlation between the damage index and the variation amount of the threshold voltage; and acquiring the variation amount of the threshold voltage for a third actual device.SELECTED DRAWING: Figure 8 【課題】絶縁層開口形成処理条件決定時間を短縮する半導体装置の特性推定方法を提供する。【解決手段】半導体装置の特性推定方法において、第１実デバイスを作製し、第１実デバイスについて閾値電圧の変動量ΔＶｔｈを取得するステップは、第１エピタキシャル基板の上に第１絶縁層を形成し、第１絶縁層に第１開口を形成し、第１ゲート電極を形成し、閾値電圧の変動量を測定する。第２実デバイスを作製し、第２実デバイスについて閾値電圧の変動量を取得するステップは、第２エピタキシャル基板の上に第２絶縁層を形成し、第２絶縁層に第２開口を形成し、第２ゲート電極を形成し、閾値電圧の変動量を測定する。方法はさらに、第１ダメージ指標を取得するステップ、第２ダメージ指標を取得するステップ、ダメージ指標と閾値電圧の変動量の相関関係を算出するステップ及び第３実デバイスについて閾値電圧の変動量取得するステップを含む。【選択図】図８