SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE

To provide a semiconductor storage device which enables suitable erasing operation.SOLUTION: A semiconductor storage device executes: an erase voltage supplying operation for supplying an erase voltage to a first wiring; a first erase verifying operation for, after executing the erase voltage supplying operation, supplying a read pass voltage to a first conductive layer, which is one of a plurality of conductive layers, and supplying an erase verifying voltage to a second conductive layer, which is one of the plurality of conductive layers; and a second erase verifying operation for, after executing the first erase verifying operation, supplying the erase verifying voltage to the first conductive layer and supplying the read pass voltage to the second conductive layer. From the first erase loop to the ath erase loop, the erase voltage increases by a first offset voltage, and from the (a+1)th erase loop to the bth erase loop, the erase voltage increases by a second offset voltage. The second offset voltage is greater than the first offset voltage.SELECTED DRAWING: Figure 17 【課題】好適な消去動作が可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体記憶装置は、第１配線に対して消去電圧を供給する消去電圧供給動作と、消去電圧供給動作の実行後、複数の導電層のうちの一つである第１導電層に対して読出パス電圧を供給し、複数の導電層のうちの一つである第２導電層に対して消去ベリファイ電圧を供給する第１消去ベリファイ動作と、第１消去ベリファイ動作の実行後、第１導電層に対して消去ベリファイ電圧を供給し、第２導電層に対して読出パス電圧を供給する第２消去ベリファイ動作とを実行する。１回目の消去ループからａ回目の消去ループにかけて、消去電圧が、第１オフセット電圧ずつ増大し、ａ＋１回目の消去ループからｂ回目の消去ループにかけて、消去電圧が、第２オフセット電圧ずつ増大する。第２オフセット電圧は、第１オフセット電圧よりも大きい。【選択図】図１７