METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT

To provide a method for manufacturing a semiconductor element, which can suppress electrode detachment when forming electrodes using photoresist.SOLUTION: A method for manufacturing a semiconductor element of the present disclosure includes depositing a Ni electrode layer on a p-type semiconductor layer of NiO using a photoresist, performing a heat treatment at a temperature of 150°C to 200°C after depositing the Ni electrode layer, and lifting off the photoresist after the heat treatment. The p-type semiconductor layer may be formed, for example, on an Al2O3 semiconductor layer.SELECTED DRAWING: Figure 3 【課題】本開示は、フォトレジストを用いて電極を形成する際における、電極の剥離を抑制することができる、半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】本開示の製造方法は、ＮｉＯのｐ型半導体層上に、フォトレジストを用いてＮｉ電極層を成膜すること、前記Ｎｉ電極層の成膜後に、１５０℃～２００℃の温度で熱処理を行うこと、及び前記熱処理後に、前記フォトレジストをリフトオフすること、を含む、半導体素子の製造方法である。前記ｐ型半導体層は、例えばＡｌ２Ｏ３半導体層上に形成されていてよい。【選択図】図３