ETCHING CONTROL METHOD AND ETCHING CONTROL SYSTEM

To reduce the running costs for processes.SOLUTION: An etching control method includes a process (a), a process (b) and a process (c). In the process (a), shape data is gathered which includes information on the height of a ring assembly, arranged surrounding a region on a stage where a substrate is mounted, and measured at a plurality of positions on a surface of the ring assembly. In the process (b), a controlled variable is specified from the shape data gathered in the process (a) by using a relational model showing the relation between previously gathered shape data and controlled variables capable of controlling a distribution of sheaths near the ring assembly for obtaining an angle within a permissible range as an angle of tilting of a recessed part formed in the substrate by plasma etching. In the process (c), the specified controlled variable is applied to control the distribution of the sheaths near the ring assembly.SELECTED DRAWING: Figure 9 【課題】プロセスのランニングコストを削減する。【解決手段】エッチング制御方法は、工程ａ）、工程ｂ）、および工程ｃ）を含む。工程ａ）では、基板が載せられるステージ上の領域を囲むように配置されたリングアセンブリの表面の複数の位置において測定されたリングアセンブリの高さの情報を含む形状データを収集する。工程ｂ）では、予め収集された形状データと、プラズマエッチングにより基板に形成される凹部のチルティングの角度が許容範囲内の角度となるためのリングアセンブリの近傍のシースの分布を制御可能な制御量との関係を示す関係モデルを用いて、工程ａ）で収集された形状データから制御量を特定する。工程ｃ）では、特定された制御量を適用することにより、リングアセンブリの近傍のシースの分布を制御する。【選択図】図９