SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT

To provide a semiconductor laser element or the like, in which the decrease in reliability due to crack occurring in a manufacturing process can be suppressed.SOLUTION: A semiconductor laser element 1 includes a substrate 10, and a semiconductor laminate structure 20 formed on one surface of the substrate 10 and having a plurality of semiconductor layers stacked. The semiconductor laminate structure 20 includes an optical waveguide extending along a resonator length direction of the semiconductor laser element 1. On the other surface of the substrate 10, a pair of first grooves 51 extending in the resonator length direction so as to cut a pair of side surfaces of the semiconductor laser element 1 are formed. Both end parts of each of the pair of first grooves 51 in the resonator length direction exist at positions recessed from end surfaces of the semiconductor laminate structure 20. In the semiconductor laminate structure 20, second grooves 52 are formed in the resonator length direction from the end surfaces of the semiconductor laminate structure 20. In a top view, the second grooves 52 are formed on both sides of the optical waveguide and formed between the first grooves 51 and the optical waveguide.SELECTED DRAWING: Figure 6 【課題】製造工程中で発生するクラックにより信頼性が低下することを抑制できる半導体レーザ素子等を提供する。【解決手段】半導体レーザ素子１は、基板１０と、基板１０の一方の面に形成され、複数の半導体層が積層された半導体積層構造体２０と、を備え、半導体積層構造体２０は、半導体レーザ素子１の共振器長方向に沿って延在する光導波路を有し、基板１０の他方の面には、半導体レーザ素子１の一対の側面を切り欠くように共振器長方向に沿って延在する一対の第１溝５１が形成されており、一対の第１溝５１の各々における共振器長方向における両端部は、半導体積層構造体２０の端面から後退した位置に存在し、半導体積層構造体２０には、半導体積層構造体２０の端面から共振器長方向に沿って第２溝５２が形成されており、上面視において、第２溝５２は、光導波路の両側に形成され、且つ、第１溝５１と光導波路との間に形成されている。【選択図】図６