METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE

To provide a method for manufacturing a nitride semiconductor light-emitting device, by which the surface of a p-type contact layer can be flattened.SOLUTION: A method for manufacturing a nitride semiconductor light-emitting device comprises the steps of: growing a p-type clad layer 7 of 70% or more in average Al composition rate; and growing a p-type contact layer 8 on the p-type clad layer 7. In the method, a ratio Fp/FIII of a flow rate Fp [μmol/min] of a material gas of a p-type impurity to a flow rate FIII [μmol/min] of a material gas of a group III element is defined as p/III ratio. In the step of growing the p-type clad layer 7, a growth velocity is 2.5 nm/min or less, p/III ratio is 0.0002 or more and 0.0400 or less, and V/III ratio is 7000 or less. In the step of growing the p-type contact layer 8, the growth velocity is 3.3 nm/min or less, and p/III ratio is 0.0200 or more, and V/III ratio is 10000 or more.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】ｐ型コンタクト層の表面を平坦にすることができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】窒化物半導体発光素子の製造方法は、平均Ａｌ組成比が７０％以上のｐ型クラッド層７を成長させる工程と、ｐ型クラッド層７上にｐ型コンタクト層８を成長させる工程とを備える。ＩＩＩ族元素の原料ガスの流量ＦＩＩＩ［μｍｏｌ／ｍｉｎ］に対するｐ型不純物の原料ガスの流量Ｆｐ［μｍｏｌ／ｍｉｎ］の比率Ｆｐ／ＦＩＩＩをｐ／ＩＩＩ比と定義する。ｐ型クラッド層７を成長させる工程においては、成長速度を２．５ｎｍ／ｍｉｎ以下、ｐ／ＩＩＩ比を０．０００２以上０．０４００以下、及びＶ／ＩＩＩ比を７０００以下とし、ｐ型コンタクト層８を成長させる工程においては、成長速度を３．３ｎｍ／ｍｉｎ以下、ｐ／ＩＩＩ比を０．０２００以上、Ｖ／ＩＩＩ比を１００００以上とする。【選択図】図１