PHOTORESIST COMPOSITIONS AND PATTERN FORMATION METHODS

To provide photoresist compositions and pattern formation methods.SOLUTION: There is provided a photoresist composition, comprising: a first polymer comprising: a first repeating unit comprising a hydroxyaryl group; a second repeating unit comprising a first acid-labile group; and a third repeating...

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Hauptverfasser: SUZANNE M COLEY, PARK JONG KEUN, CUI LI, CEN YINJIE, JAMES F CAMERON, LEE CHOONG-BONG, EMAD AQAD
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To provide photoresist compositions and pattern formation methods.SOLUTION: There is provided a photoresist composition, comprising: a first polymer comprising: a first repeating unit comprising a hydroxyaryl group; a second repeating unit comprising a first acid-labile group; and a third repeating unit comprising a first base-soluble group having a pKa of 12 or less, and not comprising a hydroxyaryl group; wherein the first, second, and third repeating units of the first polymer are different from each other, and the first polymer is free of lactone groups; a second polymer comprising: a first repeating unit comprising a second acid-labile group, a second repeating unit comprising a lactone group, and a third repeating unit comprising a second base-soluble group having a pKa of 12 or less; wherein the first, second, and third repeating units of the second polymer are structurally different from each other; and a solvent, wherein the first polymer and the second polymer are different from each other.SELECTED DRAWING: None 【課題】 フォトレジスト組成物及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】 第1のポリマーであって、ヒドロキシアリール基を含む第1の繰り返し単位と、第1の酸不安定基を含む第2の繰り返し単位と、12以下のpKaを有し、且つヒドロキシアリール基を含まない第1の塩基可溶性基を含む第3の繰り返し単位とを含み、第1のポリマーの第1、第2及び第3の繰り返し単位は、互いに異なり、及び第1のポリマーは、ラクトン基を含まない、第1のポリマーと、第2のポリマーであって、第2の酸不安定基を含む第1の繰り返し単位と、ラクトン基を含む第2の繰り返し単位と、12以下のpKaを有する第2の塩基可溶性基を含む第3の繰り返し単位とを含み、第2のポリマーの第1、第2及び第3の繰り返し単位は、互いに構造的に異なる、第2のポリマーと、溶媒とを含むフォトレジスト組成物であって、第1のポリマーと第2のポリマーとは、互いに異なる、フォトレジスト組成物。【選択図】なし