APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE
To provide an apparatus for treating a substrate and a method for treating a substrate.SOLUTION: A substrate treating apparatus includes: a support unit supporting a substrate; a liquid supply unit for supplying a treatment liquid to the substrate supported on the support unit; a heating unit that h...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; jpn |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | To provide an apparatus for treating a substrate and a method for treating a substrate.SOLUTION: A substrate treating apparatus includes: a support unit supporting a substrate; a liquid supply unit for supplying a treatment liquid to the substrate supported on the support unit; a heating unit that heats a specific location of the substrate by applying a laser to the specific location on the substrate supported on the support unit, and is swingably moved between the specific location of the substrate and a waiting location deviating from the substrate; a coordinate unit that is disposed below an irradiation end portion to which the laser is applied from the heating unit when the heating unit is positioned at the waiting location; and an image module for monitoring the laser applied from the heating unit, wherein the image module calculates a movement distance in which the heating unit is swingably moved on the coordinate unit to measure a first length in a longitudinal direction of the heating unit.SELECTED DRAWING: Figure 20
【課題】本発明の実施例は、基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】基板を支持する支持ユニットと、前記支持ユニットに支持された前記基板に処理液を供給する液供給ユニットと、前記支持ユニットに支持された前記基板上の特定位置にレーザーを照射して前記基板の前記特定位置を加熱し、前記基板の前記特定位置と前記基板を脱した待機位置の間でスイング移動される加熱ユニットと、及び前記加熱ユニットが前記待機位置に位置した場合、前記加熱ユニットから前記レーザーが照射される照射端部の下に配置される座標ユニットと、及び前記加熱ユニットから照射される前記レーザーをモニタリングするイメージモジュールを含み、前記イメージモジュールは前記座標ユニット上で前記加熱ユニットがスイング移動された移動距離を計算して前記加熱ユニットの長さ方向への第1長さを測定することができるものである。【選択図】図20 |
---|