SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide a storage device including a storage element capable of being operated by a thin film transistor having a small off-state current without problems.SOLUTION: Provided is a storage device in which storage elements each having at least one thin film transistor having an oxide semiconductor layer are arranged in a matrix. The thin film transistor having the oxide semiconductor layer has high electron field-effect mobility and can reduce an off-state current, and hence can be successfully operated without problems. In addition, power consumption can be reduced. Regarding the above-described storage device, it is especially effective in the case where the thin film transistor having the oxide semiconductor layer is provided in a pixel of a display device, for example, because the memory device can be formed on the same substrate.SELECTED DRAWING: Figure 6 【課題】オフ電流が小さい薄膜トランジスタによって問題なく動作することが可能な記憶素子を含む記憶装置を提供することを課題とする。【解決手段】酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタが少なくとも一つ設けられた記憶素子を、マトリクス状に配置した記憶装置を提供する。酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタは、電界効果移動度が高く、且つオフ電流を小さくできるため、問題なく良好に動作させることができる。また、消費電力を低くすることもできる。このような記憶装置は、例えば酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタが表示装置の画素に設けられている場合に、記憶装置を同一基板上に形成することができるため、特に有効である。【選択図】図６