PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT

To provide inverse structure type photoelectric conversion elements with high conversion efficiency.SOLUTION: A photoelectric conversion element 1 according to the invention has a substrate 10, a lower conductive layer 11 deposited on the substrate 10, a hole transport layer 12 deposited on the lower conductive layer 11, a light absorption layer 13 deposited on the hole transport layer 12 and having the composition formula AgaBibIc, an electron transport layer 14 deposited on the light absorption layer 13, and an upper electrode 16 deposited on the electron transport layer 14, and in the compositional formula, c=a+3b and 2≤b/a≤4 are satisfied to convert light incident through the lower conductive layer into photoelectricity.SELECTED DRAWING: Figure 3 【課題】変換効率の高い逆構造型光電変換素子を提供する。【解決手段】本発明に係る光電変換素子１は、基板１０と、基板１０上に成膜された下部導電層１１と、下部導電層１１上に成膜された正孔輸送層１２と、正孔輸送層１２上に成膜され、組成式ＡｇaＢｉbＩcで示される光吸収層１３と、光吸収層１３上に成膜された電子輸送層１４と、電子輸送層１４上に成膜された上部電極１６とを有し、組成式において、ｃ＝ａ＋３ｂ、及び２≦ｂ／ａ≦４を満たし、下部導電層を通して入射する光を光電変換する。【選択図】図３