CRYSTAL GROWTH SUBSTRATE, GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE

To provide: a crystal growth substrate capable of manufacturing a gallium nitride crystal excellent in surface smoothness and having less defects on a crystal substrate without using a buffer layer even when the lattice constants of the crystal substrate and gallium nitride are different from each other; a gallium nitride substrate using the same; and a method for manufacturing the gallium nitride substrate.SOLUTION: A crystal growth substrate includes: a crystal substrate 1 capable of crystal-growing gallium nitride; and a mask layer 2 arranged on one surface of the crystal substrate, having a plurality of openings 3 and including a material hard to crystal-grow the gallium nitride. A lattice mismatching rate between the crystal substrate and the gallium nitride is more than 2.2% and less than 49.4%; and the opening of the mask layer having the exposed surface of the crystal substrate is arranged in an equilateral triangular lattice shape.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】結晶基板と窒化ガリウムとで格子定数が異なる場合であっても、バッファ層を用いずに、結晶基板上に、表面の平坦性が良好であり、欠陥の少ない窒化ガリウム結晶を製造することが可能な結晶成長用基板、ならびにそれを用いた窒化ガリウム基板および窒化ガリウム基板の製造方法を提供する。【解決手段】本開示は、窒化ガリウムを結晶成長させることが可能な結晶基板１と、上記結晶基板の一方の面に配置され、複数の開口部３を有し、窒化ガリウムを結晶成長させにくい材料を含有するマスク層２と、を有し、上記結晶基板と窒化ガリウムとの格子不整合率が、２．２％超４９．４％未満であり、上記マスク層の開口部では上記結晶基板の面が露出し、上記マスク層の開口部が正三角格子状に配置されている、結晶成長用基板を提供する。【選択図】図１