WAFER PROCESSING METHOD AND WAFER

To provide a wafer processing method which can prevent a device from being damaged due to an etching liquid to be used when applying wet etching to a rear surface side of a device wafer included in a bonded wafer.SOLUTION: Provided is a wafer in which an inclined plane is formed in an outer peripher...

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Hauptverfasser: PAUL VINCENT ATENDIDO, MINATO KOKICHI
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To provide a wafer processing method which can prevent a device from being damaged due to an etching liquid to be used when applying wet etching to a rear surface side of a device wafer included in a bonded wafer.SOLUTION: Provided is a wafer in which an inclined plane is formed in an outer peripheral region. Further, when liquid (for example, an etching liquid to be used for wet etching) is supplied to the outer peripheral region, the liquid flows on the inclined plane to easily flow to the outside of the wafer. Therefore, in a bonded wafer in which the wafer has been applied as a support wafer, a device is prevented from being damaged due to an etching liquid to be used when applying wet etching to a rear surface side of a device wafer.SELECTED DRAWING: Figure 3 【課題】貼り合わせウェーハに含まれるデバイスウェーハの裏面側に対するウェットエッチングの際に用いられるエッチング液によるデバイスの損傷を抑制できるウェーハの加工方法を提供する。【解決手段】外周領域に傾斜面が形成されているウェーハを提供する。そして、この外周領域に液体(例えば、ウェットエッチングの際に用いられるエッチング液)が供給されると、液体が傾斜面上を流れてウェーハの外側に流れ出やすい。そのため、このウェーハが支持ウェーハとして適用された貼り合わせウェーハにおいては、デバイスウェーハの裏面側に対してウェットエッチングの際に用いられるエッチング液によるデバイスの損傷を抑制できる。【選択図】図3