SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ELECTRONIC EQUIPMENT

To achieve a high-quality semiconductor device including a diamond layer.SOLUTION: A semiconductor device 1 includes: a semiconductor layer 10; a diamond layer 20 provided in an inner region AR2 provided inside an outer peripheral region AR1 on a principal surface 10a of the semiconductor layer; and a protection film 140 provided in the outer peripheral region AR1. A via hole 80 extending into a semiconductor layer 10 while penetrating through the diamond layer 20 in the inner region AR2 is provided, and a via wire 90 is provided in the via hole 80. The semiconductor device 1 is obtained by dicing at a position on a lateral face 10b of the semiconductor layer 10. Since the diamond layer 20 does not exist at the position, a blade is used for dicing. In the semiconductor device 1, generation of dust of the via wire 90 at the dicing using the blade is suppressed, and thereby, short circuit caused by the dust of the via wire 90 can be suppressed. A high-quality semiconductor device 1 can be obtained at a high yield.SELECTED DRAWING: Figure 8 【課題】ダイヤモンド層を含む高品質の半導体装置を実現する。【解決手段】半導体装置１は、半導体層１０と、その主面１０ａにおける外周領域ＡＲ１よりも内側の内側領域ＡＲ２に設けられるダイヤモンド層２０と、外周領域ＡＲ１に設けられる保護膜１４０とを含む。内側領域ＡＲ２のダイヤモンド層２０を貫通して半導体層１０内に延びるビアホール８０が設けられ、そのビアホール８０にビア配線９０が設けられる。半導体装置１は、半導体層１０の側面１０ｂの位置でダイシングされて得られる。当該位置にダイヤモンド層２０が存在しないため、ダイシングにはブレードが用いられる。半導体装置１では、ブレードを用いたダイシング時のビア配線９０の塵の発生が抑えられ、ビア配線９０の塵に起因したショートの発生が抑えられる。歩留まり良く高品質の半導体装置１が得られる。【選択図】図８