PLASMA ETCHING PROCESSING DEVICE AND UPPER ELECTRODE

To provide a plasma etching processing device in which global tilting can be suppressed, and an upper electrode.SOLUTION: A plasma etching processing device comprises: a plasma etching chamber; a substrate support portion supporting a substrate and an edge ring in the plasma etching chamber; and an upper electrode opposite to the substrate support portion. The upper electrode includes: a center region having a first thickness; a middle region which has a second thickness equal to or more than the first thickness and has a connection portion in which the middle region is connected to the center region, wherein the connection portion has tapered shape in a radial direction of the upper electrode, and an end portion of the taper shape is a liner shape; and an edge region having a third thickness larger than the second thickness, wherein the connection portion has tapered shape in the radial direction, and the end portion of the taper shape has a liner shape.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】グローバルチルティングを抑制することができるプラズマエッチング処理装置及び上部電極を提供する。【解決手段】プラズマエッチング処理装置は、プラズマエッチングチャンバと、プラズマエッチングチャンバ内で基板及びエッジリングを支持するように構成された基板支持部と、基板支持部と対向する上部電極とを備え、上部電極は、第１の厚さのセンター領域と、上部電極の半径方向において、センター領域との接続部がテーパ形状であり、テーパ形状の端部が線状である、第１の厚さ以上である第２の厚さのミドル領域と、半径方向において、ミドル領域との接続部がテーパ形状であり、テーパ形状の端部が線状である、第２の厚さより厚い第３の厚さのエッジ領域と、を有する。【選択図】図１