BONDING WIRE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide a bonding wire superior in long-term reliability, which can achieve a satisfactory circular form as to FAB shape when FAB is put in contact with an electrode and crushed.SOLUTION: In a semiconductor device M, a bonding wire W comprises: 0.005 mass% or more and 2.0 mass% or less of In; one or two elements selected from Au and Pd where the total content is 0.005 mass% or more and 2.0 mass% or less; one or more elements selected from Bi and Cu, where the total content is 5 mass ppm or more and 500 mass ppm or less; one or more elements selected from a group consisting of Ca, Mg, Ge, Y, Nd, Sm, Gd, La and Ce, where the total content is 0 mass ppm or more and 500 mass ppm or less; and the balance consisting of Ag.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】長期信頼性に優れ、ＦＡＢを電極に接触させ潰した時の形状を良好な円形とすることができるボンディングワイヤを提供する。【解決手段】半導体装置Ｍにおいて、ボンディングワイヤＷは、Ｉｎの含有量が０．００５質量％以上２．０質量％以下、Ａｕ及びＰｄから選択された１種又は２種の元素の含有量の合計が０．００５質量％以上２．０質量％以下、Ｂｉ及びＣｕから選択された１種又は２種以上の元素の含有量の合計が５質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下、Ｃａ、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｙ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｌａ及びＣｅからなる群から選択された１種又は２種以上の元素の含有量の合計が０質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下であり、残部がＡｇからなる。【選択図】図１