SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE, DATA WRITING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE

PURPOSE: To provide a semiconductor storage device which allows a data storage period to be extended without causing an increase in time to be spent on refresh processing and without causing a decline in yield, and to provide a data writing method, and a manufacturing method of the semiconductor storage device.CONSTITUTION: A memory control part in a semiconductor storage device includes: a data writing part for writing information data in each block of a memory device according to a writing command; a verification processing part for reading the information data from a write-destination block every time information data is written in each block, and for detecting a number of error bits generated in the information data that has been read, for each block; and a rewriting processing part for writing the information data in another block which is different from the write-destination block if the number of error bits is equal to a prescribed threshold or more.SELECTED DRAWING: Figure 1 【目的】リフレッシュ処理に費やす時間の増大及び歩留まり低下を招くことなく、データ保存期間を延ばすことが可能な半導体記憶装置、データ書込方法、及び半導体記憶装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】書込指令に応じてメモリデバイスのブロックの各々に情報データを書き込むデータ書込部と、情報データが各ブロックに書き込まれる度に、書込み先のブロックから情報データを読み出し、読み出した情報データに生じているエラービットの数をブロック毎に検出するベリファイ処理部と、エラービットの数が所定の閾値以上である場合には当該書込み先のブロックとは異なる他のブロックに情報データの書き込みを行う再書込処理部と、を有する。【選択図】図１