SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

To provide a semiconductor structure.SOLUTION: A semiconductor structure includes a substrate 110, a dielectric layer 120, a junction layer 130, a ground metal layer 140, and a plurality of circuit layers 150. The dielectric layer is installed on a surface of the substrate, and the surface is expose...

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Hauptverfasser: HSIEH CHIN TANG, KUO CHUN-TING, HO LUNG-HUA, KUO CHIH-MING, HSU YOU MING
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To provide a semiconductor structure.SOLUTION: A semiconductor structure includes a substrate 110, a dielectric layer 120, a junction layer 130, a ground metal layer 140, and a plurality of circuit layers 150. The dielectric layer is installed on a surface of the substrate, and the surface is exposed from a plurality of openings 121 of the dielectric layer. The junction layer is installed in the dielectric layer, and a first junction part 131 of the junction layer is located in the opening. The first junction part is connected to the surface. A second junction part of the junction layer is connected to the dielectric layer. A first ground layer 141 of the ground metal layer is connected to the first junction part of the junction layer. A second ground layer 142 of the ground metal layer is connected to the second junction part of the junction layer. Each circuit layer is installed in the second junction part of the junction layer. One second ground layer is located between adjacent two circuit layers.SELECTED DRAWING: Figure 5 【課題】半導体構造を提供する。【解決手段】半導体構造は、基板110と、誘電体層120と、接合層130と、グランドメタル層140と、複数の回路層150と、を含む。誘電体層は基板の表面に設置され、誘電体層の複数の開口部121からは表面が露出する。接合層は誘電体層に設置され、接合層の第一接合部は開口部中に位置している。第一接合部131は表面に接続される。接合層の第二接合部は誘電体層に接続される。グランドメタル層の第一グランド層141は、接合層の第一接合部に接続される。グランドメタル層の第二グランド層142は、接合層の第二接合部に接続される。各回路層は、接合層の第二接合部に設置されている。隣接する2つの回路層の間には1つの第二グランド層を有している。【選択図】図5