SEMICONDUCTOR LASER DIODE

To provide a semiconductor laser diode.SOLUTION: A semiconductor laser diode (100) includes a semiconductor laminate (2) having at least one active layer (3) and a web waveguide structure (9) having a web. The web extends in a longitudinal direction (93) from a light output surface (6) to a rear surface (7), and is delimited by web side surfaces (11) in a lateral direction (91) perpendicular to the longitudinal direction (93). The web has a first region (910) and a second region (920) adjacent to the first region in a vertical direction (92) perpendicular to the longitudinal and lateral directions. The web includes a first semiconductor material in the first region (910), and at least one second semiconductor material different from the first semiconductor material in the second region (920). The web has a first width (919) in the first region (910), and a second width (929) in the second region (920) larger than the first width (919).SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】半導体レーザーダイオードを提供する。【解決手段】半導体レーザーダイオード（１００）は、少なくとも１つの活性層（３）とウェブを有するウェブ導波構造（９）とを有する半導体積層体（２）を含み、ウェブは、縦方向（９３）で光出力面（６）から背面（７）へ延在しており、かつ縦方向（９３）に対して垂直な横方向（９１）でウェブ側面（１１）によって画定されている。ここで、ウェブは、第１の領域（９１０）と、縦方向および横方向に対して垂直な垂直方向（９２）で第１の領域に接する第２の領域（９２０）とを有する。ウェブは、第１の領域（９１０）に第１の半導体材料を有し、第２の領域（９２０）に第１の半導体材料とは異なる少なくとも１つの第２の半導体材料を有する。ウェブは、第１の領域（９１０）では第１の幅（９１９）を有し、かつ第２の領域（９２０）では第１の幅（９１９）より大きい第２の幅（９２９）を有する。【選択図】図２