WAFER PROCESSING METHOD

To provide a wafer processing method with which it is possible to prevent damage to a dicing tape even when irradiating a wafer with a laser beam and forming dividing grooves leading from the surface to the reverse side of the wafer.SOLUTION: The wafer processing method includes: a liquid resin coating step for coating a reverse side 2b of a wafer 2 with a liquid resin that solidifies upon irradiation with an ultraviolet ray; a semi-solidified resin layer formation step for forming a semi-solidified layer 8' by irradiating with an ultraviolet ray to the extent that the liquid resin is semi-solidified; a wafer unit formation step for forming a wafer unit U by fastening a dicing tape 12 to the semi-solidified layer 8' and a frame 10 under pressure; a division step for irradiating a planned division line 4 with a laser beam LB of an ultraviolent wavelength which is absorbable to the wafer 2 and dividing the wafer 2 into individual chips by ablation processing; a resin layer solidification step for irradiating the semi-solidified layer 8' side with an ultraviolet ray and solidifying the semi-solidified layer 8'; and a pickup step for picking up the chips from the solidified resin layer.SELECTED DRAWING: Figure 5 【課題】ウエーハにレーザー光線を照射し、ウエーハの表面から裏面に至る分割溝を形成しても、ダイシングテープの損傷を防止可能なウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】ウエーハの加工方法は、紫外線の照射によって固化する液状樹脂をウエーハ２の裏面２ｂに被覆する液状樹脂被覆工程と、液状樹脂が半固化する程度に紫外線を照射して半固化樹脂層８'を形成する半固化樹脂層形成工程と、半固化樹脂層８'とフレーム１０とにダイシングテープ１２を圧着してウエーハユニットＵを形成するウエーハユニット形成工程と、ウエーハ２に対して吸収性を有する紫外線波長のレーザー光線ＬＢを分割予定ライン４に照射してアブレーション加工によってウエーハ２を個々のチップに分割する分割工程と、半固化樹脂層８'側に紫外線を照射して半固化樹脂層８'を固化する樹脂層固化工程と、固化した樹脂層からチップをピックアップするピックアップ工程とを含む。【選択図】図５