SEMICONDUCTOR DEVICE WITH PASSIVATED MAGNETIC CONCENTRATOR

To provide a semiconductor device having a hall sensor, and provide a manufacturing method of them.SOLUTION: A semiconductor device 500 contains hole sensors 506 and 507 arranged to a first plan surface which is parallel to a divice side front surface of a semiconductor die, and contains: a semiconductor die 505 that includes a bond pad on the device side front surface which is separated from a magnetic concentrator; a passivated magnetic concentrator 512 containing a magnetic alloy layer 515 formed on the device side front surface of the semiconductor die; a bond wire 513 that is mounted onto the die side front surface of the die pad 502 on a package substrate, and bonds a back side front surface of the semiconductor die opposite to the device side front surface and the bond pad of the semiconductor die with a lead 501 of the package substrate; and a mold chemical compound 503 that covers the passivated magnetic concentrator 512, the semiconductor die, the bonding wire, one part of the lead, and the die side front surface of the die pad. An upper side front surface of the magnetic alloy layer is covered with a protection layer 517 of a polymer material.SELECTED DRAWING: Figure 5C 【課題】ホールセンサを備える半導体デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体デバイス５００は、半導体ダイのデバイス側表面と平行である第１の平面に配されるホールセンサ５０６、５０７を含み、磁気コンセントレータから離間される、デバイス側表面上のボンドパッドを有する半導体ダイ５０５と、半導体ダイのデバイス側表面の上に形成される磁気合金層５１５を含む不動態化された磁気コンセントレータ５１２と、パッケージ基板上のダイパッド５０２のダイ側表面に搭載される、デバイス側表面とは反対の半導体ダイの裏側表面と、半導体ダイのボンドパッドをパッケージ基板のリード５０１に結合するボンドワイヤ５１３と、磁気コンセントレータ５１２、半導体ダイ、ボンドワイヤ、リードの一部及びダイパッドのダイ側表面を覆うモールド化合物５０３と、を含む。磁気合金層の上側表面は、ポリマー材料の保護層５１７によって覆われる。【選択図】図５Ｃ