METHOD FOR MANUFACTURING ELECTROLESS PLATING SILICON WAFER

To provide a method for manufacturing an electroless plating silicon wafer, capable of easily cutting a bottom surface resin film of the electroless plating silicon wafer, easily peeling the cut bottom surface resin film and preventing a plating film from being formed in the end part of the silicon wafer when performing electroless plating, and provide a method for manufacturing an electroless plating layer containing silicon wafer.SOLUTION: A method for manufacturing an electroless plating silicon wafer comprises: providing a device surface resin film 2 including a flange 2a and an opening 2b projected from an end part 1d of a silicon wafer 1 on a device surface 1a of the silicon wafer 1; providing a bottom surface resin film 3 including a flange 3a projected from the end part 1d of the silicon wafer 1 on a bottom surface 1b of the silicon wafer 1; and forming a space 4 in a boundary among the end part 1d of the silicon wafer 1, the device surface resin film 2 and the bottom surface resin film 3 to integrate the flange 2a of the device surface resin film 2 and the flange 3a of the bottom surface resin film 3.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】無電解めっき用シリコンウェハの底面用樹脂フィルムを容易に切断することができ、切断された底面用樹脂フィルムを容易に剥離することができ、無電解めっきを施すときにシリコンウェハの端部でめっき皮膜が形成されることを防止することができる無電解めっき用シリコンウェハの製造方法および無電解めっき層含有シリコンウェハの製造方法を提供する。【解決手段】シリコンウェハ１のデバイス面１ａにシリコンウェハ１の端部１ｄから突出する鍔部２ａおよび開口部２ｂを有するデバイス面用樹脂フィルム２を設け、シリコンウェハ１の底面１ｂにシリコンウェハ１の端部１ｄから突出する鍔部３ａを有する底面用樹脂フィルム３を設け、シリコンウェハ１の端部１ｄとデバイス面用樹脂フィルム２と底面用樹脂フィルム３との境界に空間４を形成させてデバイス面用樹脂フィルム２の鍔部２ａと底面用樹脂フィルム３の鍔部３ａとを一体化させることを特徴とする。【選択図】図１