PRODUCTION METHOD OF GAS SEPARATION MEMBRANE
To provide a production method of a gas separation membrane being more excellent in gas separation performance than a conventional gas separation membrane.SOLUTION: A production method of a gas separation membrane includes a separation layer formation step to form a separation layer on a base materi...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; jpn |
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Zusammenfassung: | To provide a production method of a gas separation membrane being more excellent in gas separation performance than a conventional gas separation membrane.SOLUTION: A production method of a gas separation membrane includes a separation layer formation step to form a separation layer on a base material by an atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition method. The separation layer is a silica-based separation layer different in chemical composition or layer structure in a thickness direction. The separation layer formation step is a step A to form the silica-based separation layer by changing discharge gas composition and/or the concentration of a volatile organic silicon compound or a step B to form the silica-based separation layer by forming a vapor deposition layer using a discharge gas containing the volatile organic silicon compound, radiating plasma generated from the discharge gas without containing the volatile organic silicon compound on the surface of the vapor deposition layer and modifying at least the surface of the vapor deposition layer.SELECTED DRAWING: Figure 3
【課題】本発明は、従来の気体分離膜よりも気体分離性能に優れる気体分離膜の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の気体分離膜の製造方法は、基材上に大気圧プラズマ化学気相成長法で分離層を形成する分離層形成工程を含み、前記分離層は、厚み方向において化学組成又は層構造が異なるシリカ系分離層であり、前記分離層形成工程は、放電ガスの組成及び/又は揮発性有機ケイ素化合物の濃度を変化させることにより前記シリカ系分離層を形成する工程A、又は揮発性有機ケイ素化合物を含む放電ガスを用いて蒸着層を形成し、その後、前記蒸着層の表面に揮発性有機ケイ素化合物を含まない放電ガスから生じたプラズマを照射して、少なくとも前記蒸着層の表面を改質することにより前記シリカ系分離層を形成する工程Bである。【選択図】図3 |
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