MOLD DIE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
To provide a mold die capable of suppressing occurrence of burrs that are formed on an edge of a resin cull remaining in a resin accommodating cavity, and a method for manufacturing a semiconductor device, in which the mold die is used.SOLUTION: A mold die A10 includes a first die 10 and a second di...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; jpn |
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Zusammenfassung: | To provide a mold die capable of suppressing occurrence of burrs that are formed on an edge of a resin cull remaining in a resin accommodating cavity, and a method for manufacturing a semiconductor device, in which the mold die is used.SOLUTION: A mold die A10 includes a first die 10 and a second die 20. When the first die 10 and the second die 20 are butted in a first direction z, a molding cavity and a resin accommodating cavity 32 connected to the molding cavity are formed by the first die 10 and the second die 20. The first die 10 is provided with a first recess 12 and a second recess 13 which are recessed in the first direction z. The first recess 12 is connected to the resin accommodating cavity 32. The second recess 13 is connected to the first recess 12. The second recess 13 is located on a side opposite to the resin accommodating cavity 32 with the first recess 12 sandwiched therebetween in a second direction x. A size h2 of the second recess 13 in the first direction z is greater than a size h1 of the first recess 12 in the first direction z.SELECTED DRAWING: Figure 5
【課題】 樹脂収容空洞に残留した樹脂カルの縁に形成されるバリの発生を抑制することが可能なモールド金型と、当該モールド金型を用いた半導体装置の製造方法とを提供する。【解決手段】 モールド金型A10は、第1金型10および第2金型20を備える。第1金型10と第2金型20とが第1方向zに突き合わされると、成形空洞と、当該成形空洞につながる樹脂収容空洞32とが第1金型10および第2金型20によって形成される。第1金型10には、第1方向zに凹む第1凹部12および第2凹部13が設けられている。第1凹部12は、樹脂収容空洞32につながっている。第2凹部13は、第1凹部12につながっている。第2凹部13は、第2方向xにおいて第1凹部12を間に挟んで樹脂収容空洞32とは反対側に位置する。第2凹部13の第1方向zの寸法h2は、第1凹部12の第1方向zの寸法h1よりも大きい。【選択図】 図5 |
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