METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL GROWTH SUBSTRATE AND EPITAXIAL GROWTH SUBSTRATE

To provide a method for manufacturing an epitaxial growth substrate more suitable for single crystal epitaxial growth.SOLUTION: A method for manufacturing an epitaxial growth substrate comprises steps of: cleaving a single crystal body represented by the general formula RAMO4 to obtain a substrate having a cleavage surface as an epitaxial growth surface; and colliding charged particles having energy on the cleavage surface to form a step terrace structure (a terrace width being an interval between steps is 0.2-100 μm) having periodicity on the cleavage surface, where in the general formula, R represents at least one kind of trivalent elements selected from a group consisting of Sc, In, Y and lanthanoids; A represents at least one kind of trivalent elements selected from a group consisting of Fe(III), Ga and Al; and M represents at least one kind of bivalent elements selected from a group consisting of Mg, Mn, Fe(II), Co, Cu, Zn and Cd.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】単結晶のエピタキシャル成長により適したエピタキシャル成長用基板の製造方法を提供すること。【解決手段】一般式ＲＡＭＯ４で表される単結晶体を劈開させて、劈開面をエピタキシャル成長面として有する基板を得る工程と、劈開面にエネルギーを有する荷電粒子を衝突させて、劈開面に周期性を有するステップ・テラス構造（ステップ間の間隔であるテラスの幅が０．２～１００μｍである）を形成する工程と、を備える、エピタキシャル成長用基板の製造方法。一般式中、Ｒは、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｙ及びランタノイド元素からなる群より選択される少なくとも一種の三価の元素を表し、Ａは、Ｆｅ（III）、Ｇａ及びＡｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の元素を表し、Ｍは、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｆｅ（II）、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選択される少なくとも一種の二価の元素を表す。【選択図】図１