SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

To improve reliability of a semiconductor device covering an uppermost layer wiring of a multilayer wiring layer with a passivation film.SOLUTION: A semiconductor device manufacturing method forms a semiconductor device including a first wiring WR1, a second wiring WR2, dummy wirings D1 and D2, and a passivation film covering those wirings as an uppermost layer wiring of a multilayer wiring layer. The passivation film is patterned by etching which uses a photoresist film, and formed densely with the first wiring WR1 and a plurality of neighboring dummy wirings D1. The dummy wiring D2 is formed to surround a periphery of the second wiring WR2 sparsely formed immediately above an analog circuit unit ANC.SELECTED DRAWING: Figure 10 【課題】多層配線層の最上層配線をパッシベーション膜により覆う半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】多層配線層の最上層配線として、第１配線ＷＲ１、第２配線ＷＲ２、ダミー配線Ｄ１およびＤ２を有し、それらの配線を覆うパッシベーション膜を有する半導体装置を形成する。パッシベーション膜は、フォトレジスト膜を用いたエッチングによりパターニングされ、第１配線ＷＲ１とその近傍の複数のダミー配線Ｄ１とは密に形成され、ダミー配線Ｄ２は、アナログ回路部ＡＮＣの直上に疎に形成された第２配線ＷＲ２の周囲を囲むように形成される。【選択図】図１０