METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER

To provide a technique of improving the quality of processing or the ease of processing, for example, in a separation step of separating a wafer from an ingot.SOLUTION: The method for manufacturing a semiconductor wafer includes: preparing an ingot (20) having a first main surface (21) and a second main surface (22) on the back side of the first main surface and having a separation layer (23) formed along the first main surface; and applying a load from the outside of the ingot in a direction of the inside of a plane so that a moment using one end (25) in the direction of the inside of the plane along the first main surface as a supporting point (PP) acts on the ingot, thereby separating a layered wafer precursor (24) formed between the first main surface and the separation layer from the ingot. Alternatively, a dynamic outside force is applied to the ingot so that the wafer precursor is separated from the ingot. The dynamic outside force causes a tensile stress along an ingot thickness direction connecting the first main surface and the second main surface to each other and parallel to a center axis (CL) of the ingot to act on the whole ingot in the direction of the inside of the plane.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】インゴットからウェハを剥離する剥離工程における加工品質や加工容易性等を向上する技術を提供すること。【解決手段】半導体ウェハ製造方法は、第一主面（２１）とその裏側の第二主面（２２）とを有し第一主面に沿って剥離層（２３）が形成されたインゴット（２０）を用意し、第一主面に沿った面内方向における一端（２５）を支点（ＰＰ）とするモーメントがインゴットに作用するように、面内方向におけるインゴットの外側から荷重を印加することで、第一主面と剥離層との間に設けられた層状のウェハ前駆体（２４）をインゴットから剥離する。あるいは、第一主面と第二主面とを結びインゴットの中心軸（ＣＬ）と平行なインゴット厚方向に沿った引張応力が面内方向におけるインゴットの全体に作用するような動的な外力をインゴットに印加することで、ウェハ前駆体をインゴットから剥離する。【選択図】図２