DEPOSITION DEVICE

To provide a deposition device capable of improving deposition efficiency by efficiently generating OH radicals or NH radicals of high reactivity required for forming a metal oxide film or a metal nitride film on an object in a reaction container through ALD.SOLUTION: A deposition device 10 forms a metal oxide film or a metal nitride film through atomic layer deposition by alternately introducing a metal compound gas and OH radicals or NH radicals within a reaction container 20. The deposition device includes: a first gas source 40 supplying oxygen or nitrogen; a second gas source 50 supplying hydrogen; a third gas source 60 supplying a carrier gas; a first pipe 32 communicating the first gas source and the third gas source with the reaction container; a first plasma generation unit 44 generating plasma containing oxygen radicals or nitrogen radicals dissociated from the oxygen or the nitrogen; a second pipe 52 communicating the second gas source and the third gas source with the reaction container; and a second plasma generation unit 54 generating plasma containing hydrogen radicals dissociated from the hydrogen.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】 反応容器内の対象物にＡＬＤによって金属酸化膜または金属窒化膜を形成するのに必要な反応性の高いＯＨラジカルまたはＮＨラジカルを効率よく発生させ、成膜効率を高めることができる成膜装置を提供すること。【解決手段】 反応容器２０内にて、金属化合物ガスと、ＯＨラジカルまたはＮＨラジカルとを交互に導入して、原子層堆積により金属酸化膜または金属窒化膜を形成する成膜装置１０は、酸素または窒素を供給する第１ガス源４０と、水素を供給する第２ガス源５０と、キャリアガスを供給する第３ガス源６０と、第１ガス源及び第３ガス源と反応容器とを連通させる第１配管３２と、酸素または窒素から解離される酸素ラジカルまたは窒素ラジカルを含むプラズマを生成する第１プラズマ生成部４４と、第２ガス源及び第３ガス源と前記反応容器とを連通させる第２配管５２と、水素から解離される水素ラジカルを含むプラズマを生成する第２プラズマ生成部５４と、含む。【選択図】 図１