WAFER PROCESSING METHOD

To provide a wafer processing method capable of removing all desired regions by etching.SOLUTION: A wafer processing method for etching a wafer with a plasma gas includes a mask material coating step 1 for coating the front surface side of a wafer with a mask material serving as a mask, a laser processing step 2 of emitting a laser beam from the front surface side of the wafer after performing the mask material coating step, thereby removing the mask material from a region to be etched on the front surface of the wafer, a mask finishing step 3 of supplying plasma gas onto the surface of the wafer after the laser processing step is performed, thereby removing the mask material remaining in the region to be etched on the surface of the wafer by anisotropic etching for leading gas ion to the wafer side, and an etching step 4 of supplying plasma gas onto the surface of the wafer after the mask finishing step is performed, thereby etching the region to be etched on the surface of the wafer in a depth direction.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】所望の領域を全てエッチングで除去することができるウェーハの加工方法を提供すること。【解決手段】ウェーハの加工方法は、ウェーハをプラズマ状のガスでエッチングするウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面側をマスクとなるマスク材料で被覆するマスク材料被覆ステップ１と、マスク材料被覆ステップ実施後、レーザー光線をウェーハの表面側から照射し、ウェーハの表面のエッチングする領域からマスク材料を除去するレーザー加工ステップ２と、レーザー加工ステップ実施後、ウェーハの表面にプラズマ状のガスを供給し、ガスのイオンをウェーハ側に引き込む異方性エッチングで、ウェーハの表面のエッチングする領域に残ったマスク材料を除去するマスク仕上げステップ３と、マスク仕上げステップ実施後、ウェーハの表面にプラズマ状のガスを供給し、ウェーハの表面のエッチングする領域を深さ方向に掘り進めるエッチングステップ４と、を備える。【選択図】図２