SPIN-TORQUE OSCILLATION ELEMENT

To provide a spin-torque oscillation element capable of oscillation in a sub-GHz band under no magnetic field and achieving a high oscillation output than before.SOLUTION: There is provided a spin-torque oscillation element 10 which is capable of oscillation in a sub-GHz band and includes: a first electrode 11 and a second electrode 12; and a stacked body including a magnetization fixed layer 13, a tunnel barrier layer 15 comprising MgO, a magnetization free layer 14 and a spin injection layer 18 which are stacked between the first electrode and the second electrode. The spin injection layer is a vertical magnetization film with magnetization vertical to a film surface. The magnetization free layer comprises a FeB layer. The spin-torque oscillation element is capable of obtaining an oscillation output by applying a predetermined DC voltage when there is no magnetic field to be applied to the film surface in a vertical direction.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】無磁場下においてサブギガヘルツ帯域において発振が可能であり、かつ従来よりも発振出力を向上したスピントルク発振素子を提供する。【解決手段】サブギガヘルツ帯域において発振可能なスピントルク発振素子１０であって、第１の電極１１および第２の電極１２と、上記第１の電極と上記第２の電極との間に磁化固定層１３と、ＭｇＯからなるトンネル障壁層１５と、磁化自由層１４と、スピン注入層１８とを積層した積層体を備え、上記スピン注入層は膜面に対して磁化が垂直である垂直磁化膜であり、上記磁化自由層がＦｅＢ層からなり、上記スピントルク発振素子は、その膜面に対して垂直方向に印加する磁場がない場合に所定の直流電圧を印加することで発振出力可能な、上記スピントルク発振素子が提供される。【選択図】図１