SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide a semiconductor device capable of increasing a difference voltage between a steady detection signal and an abnormality detection signal while suppressing a switching off loss from being increased.SOLUTION: A main element Me and a sense element Se are configured to have: a drift layer; a base layer formed on the drift layer; an emitter region formed on a surface layer part of the base layer 12; a gate insulating film arranged on a surface of the base layer sandwiched between the emitter region and the drift layer; a gate electrode arranged on the gate insulating film; and an other surface layer 21 formed at the opposite side of the base layer while interposing the drift layer therebetween. The other surface layer 21 of the main element Me is configured by a collector layer 21a of a second conductivity type. The other surface layer 21 of the sense element Se is configured to include a low-impurity layer 21b whose amount of impurities of the second conductivity type is set to be smaller than that of the collector layer 21a along a lamination direction of the drift layer 11 and the base layer 12.SELECTED DRAWING: Figure 4 【課題】スイッチングオフ損失が大きくなることを抑制しつつ、定常検出信号と異常検出信号との差電圧を大きくできる半導体装置を提供する。【解決手段】メイン素子Ｍｅおよびセンス素子Ｓｅは、ドリフト層と、ドリフト層上に形成されたベース層と、ベース層１２の表層部に形成されたエミッタ領域と、エミッタ領域とドリフト層との間に挟まれたベース層の表面に配置されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極と、ドリフト層を挟んでベース層と反対側に形成された他面層２１とを備えるようにする。メイン素子Ｍｅの他面層２１は、第２導電型のコレクタ層２１ａで構成されるようにし、センス素子Ｓｅの他面層２１は、ドリフト層１１とベース層１２との積層方向に沿って、コレクタ層２１ａよりも第２導電型の不純物量が少なくされた低不純物層２１ｂを含んで構成されるようにする。【選択図】図４