ETCHING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide an etching method capable of relatively easily obtaining a desired structure for a structure to be etched including a plurality of mixed crystal layers.SOLUTION: In the present disclosure, a resist patterned on an aluminum mixed crystal layer 2 of a laminated structure 3 is obtained. A second etching process selectively etching only the aluminum mixed crystal layer 2 using an etchant F2 for Al is performed using the patterned resist as a mask. As a result, a patterning structure 13 can be obtained, the patterning structure having an etching region R2 which penetrates a part of the aluminum mixed crystal layer 2 and has a surface of a chromium mixed crystal layer 1 being exposed in the etching region.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】複数の混晶層を含むエッチング対象構造に対し、比較的簡単に所望の構造を得ることができるエッチング方法を提供することを目的とする。【解決手段】本開示において、積層構造３のアルミニウム混晶層２上にパターニングされたレジストを得る。パターニングされたレジストをマスクとして、Ａｌ用エッチング剤Ｆ２を用いてアルミニウム混晶層２のみを選択的にエッチングする第２のエッチング処理を実行する。その結果、アルミニウム混晶層２の一部を貫通しクロム混晶層１の表面が露出したエッチング領域Ｒ２を有するパターニング構造１３を得ることができる。【選択図】図２