SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide a technology capable of activating a protection operation by using the maximum rating operation temperature as a threshold.SOLUTION: A protection diode connected between a control terminal of a main transistor and a low-voltage side terminal comprises a semiconductor substrate having a p-type anode layer, an n-type cathode layer, and an n-type drift layer. When an acceptor concentration of the anode layer is defined as Na, and a Fermi level is defined as Eρ, and a valence band upper end energy is defined as Ev, and a difference between an energy level of an acceptor of the anode layer and an energy at the valence band upper end is defined as ΔEa, and an electron concentration of the drift layer is nn-, Na/(1+exp(ΔEa/kTc)exp(-(Eρ-Ev)/kTc))nn- is satisfied in a case where the operation temperature is higher than a maximum rating operation temperature Tm.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】最大定格動作温度を閾値として保護動作を働かせることができる技術を提供する。【解決手段】メイントランジスタの制御端子と低圧側端子の間に接続されている保護用ダイオードは、ｐ型のアノード層と、ｎ型のカソード層と、ｎ型のドリフト層と、を有する半導体基板、を備えている。アノード層のアクセプタ濃度をＮａとし、フェルミ準位をＥρとし、価電子帯上端エネルギーをＥｖとし、前記アノード層のアクセプタのエネルギー準位と価電子帯上端のエネルギー差をΔＥａとし、前記ドリフト層の電子濃度をｎｎ-としたときに、動作温度が定常動作温度Ｔｃのときに、Ｎａ／（１＋ｅｘｐ（ΔＥａ／ｋＴｃ）ｅｘｐ（-（Ｅρ-Ｅｖ）／ｋＴｃ））＜ｎｎ-を満たし、動作温度が最大定格動作温度Ｔｍよりも高いときに、Ｎａ／（１＋ｅｘｐ（ΔＥａ／ｋＴｍ）ｅｘｐ（-（Ｅρ-Ｅｖ）／ｋＴｍ））＞ｎｎ-を満たす、ように構成されている。【選択図】図１