RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING METHOD

To provide a resist composition having good lithographic characteristics such as CDU, and a resist pattern forming method using the resist composition.SOLUTION: The resist composition contains a resin component (A1), a compound (B0) represented by general formula (b0), and a photodegradable base (D0) which generates a carboxylic acid having a pka of 0.3 to 2.5. (In the formula, Rb11 to Rb13 are halogen atoms; Rb21 to Rb23 are each independently a hydrogen atom or the like; mb1, nb1 and ob1 are integers of 2 to 5; mb2 is an integer of 5-mb1, nb2 is an integer of 5-nb1, and ob2 is an integer of 5-ob1; R101 is a cyclic group or the like; R102 is a fluorinated alkyl group or a fluorine atom; and Y101 is a divalent linking group containing an oxygen atom or a single bond.)SELECTED DRAWING: None 【課題】ＣＤＵ等のリソグラフィー特性が良好なレジスト組成物及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】樹脂成分（Ａ１）と、一般式（ｂ０）で表される化合物（Ｂ０）と、ｐｋａが０．３～２．５のカルボン酸を発生酸とする光崩壊性塩基（Ｄ０）を含有する、レジスト組成物（式中、Ｒｂ１１～Ｒｂ１３は、ハロゲン原子である。Ｒｂ２１～Ｒｂ２３は、それぞれ独立に、水素原子等である。ｍｂ１、ｎｂ１及びｏｂ１は、２～５の整数である。ｍｂ２は、５－ｍｂ１の整数、ｎｂ２は５－ｎｂ１の整数、ｏｂ２は、５－ｏｂ１の整数である。Ｒ１０１は、環式基等である。Ｒ１０２は、フッ素化アルキル基又はフッ素原子である。Ｙ１０１は、酸素原子を含む２価の連結基又は単結合である）。TIFF2023004073000079.tif45170【選択図】なし