METHOD FOR MANUFACTURING PN JUNCTION DIODE

To provide a method for manufacturing a pn junction diode with reduced rise voltage.SOLUTION: The method for manufacturing a pn junction diode of the present disclosure includes providing a pn junction diode precursor having a Li-doped p-type NiO semiconductor layer on an n-type gallium oxide semico...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KAWATARI MIKIHISA, TANNO KATSUNORI
Format:	Patent
Sprache:	eng ; jpn
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	To provide a method for manufacturing a pn junction diode with reduced rise voltage.SOLUTION: The method for manufacturing a pn junction diode of the present disclosure includes providing a pn junction diode precursor having a Li-doped p-type NiO semiconductor layer on an n-type gallium oxide semiconductor layer, and annealing the pn junction diode precursor at 400°C to 700°C. The p-type NiO semiconductor layer may be deposited by a sputtering method using a Li-doped target.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】本開示は、立ち上がり電圧が低減されたｐｎ接合ダイオードを製造する方法を提供する。【解決手段】本開示の製造方法は、ｎ型酸化ガリウム半導体層上にＬｉドープｐ型ＮｉＯ半導体層を有するｐｎ接合ダイオード前駆体を提供すること、及び前記ｐｎ接合ダイオード前駆体を４００℃～７００℃で熱処理すること、を含む、ｐｎ接合ダイオードの製造方法である。ｐ型ＮｉＯ半導体層の成膜は、ＮｉＯにＬｉが添加されたターゲットを用いるスパッタリング法によって行ってよい。【選択図】図２