SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
To provide a silicon carbide semiconductor device capable of simplifying its configuration.SOLUTION: In a cell region, a first conductivity type first impurity region and a second conductivity type second impurity region connected to a first electrode are formed on a surface layer of a base layer. I...
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| Hauptverfasser: | , |
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; jpn |
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| Zusammenfassung: | To provide a silicon carbide semiconductor device capable of simplifying its configuration.SOLUTION: In a cell region, a first conductivity type first impurity region and a second conductivity type second impurity region connected to a first electrode are formed on a surface layer of a base layer. In a temperature detection region 2, a diode element 40 having a first conductive type first component layer 42 formed on the surface layer of the base layer 21 and a second conductive type second component layer 41 formed on the surface layer of the base layer 21 and connected to the first component layer in the plane direction of the substrate is formed.SELECTED DRAWING: Figure 3
【課題】構成の簡素化を図ることのできる炭化珪素半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】セル領域には、ベース層の表層部に、第１電極と接続される第１導電型の第１不純物領域および第２導電型の第２不純物領域が形成されるようにする。温度検出領域２には、ベース層２１の表層部に形成された第１導電型の第１構成層４２と、ベース層２１の表層部に形成され、第１構成層と基板の面方向にて接続されている第２導電型の第２構成層４１と、を有するダイオード素子４０が形成されるようにする。【選択図】図３ |
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