SPUTTERING DEVICE

To provide a sputtering device that allows improved plasma density, leading to an increased deposition rate.SOLUTION: A sputtering device is provided with: a first target holder 111 and a second target holder 112; a substrate holder 16 provided on a lateral side of a plasma generating region R; a power supply 14 for generating an electric field in the plasma generating region R; a high frequency electromagnetic field generating portion 17 provided in the plasma generating region R on a lateral side opposing the substrate holder 16 across the plasma generating region R to generate a high frequency electromagnetic field in the plasma generating region R; and a plasma raw material gas introducing portion 15 for introducing a plasma raw material gas into the plasma generating region R. There is no means for generating a magnetic field at ends of the first target holder 111 and the second target holder 112 on the side of the high frequency electromagnetic field generating portion 17.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】プラズマ密度を高くすることができ、それによって成膜速度を速くすることができるスパッタ装置を提供する。【解決手段】第１ターゲットホルダ１１１及び第２ターゲットホルダ１１２と、プラズマ生成領域Ｒの側方に設けられた基板ホルダ１６と、プラズマ生成領域Ｒ内に電界を生成する電源１４と、プラズマ生成領域Ｒの、該プラズマ生成領域Ｒを挟んで基板ホルダ１６と対向する側方に設けられた、該プラズマ生成領域Ｒ内に高周波電磁界を生成する高周波電磁界生成部１７と、プラズマ生成領域Ｒ内にプラズマ原料ガスを導入するプラズマ原料ガス導入部１５とを備え、第１ターゲットホルダ１１１及び第２ターゲットホルダ１１２の、高周波電磁界生成部１７側の端部には磁界を生成する手段が存在しないスパッタ装置である。【選択図】図１