MANUFACTURING METHOD OF SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

To suppress the warpage of a SiC wafer by a method different from a method of forming a groove for warpage correction.SOLUTION: Before ion implantation is performed, a fracture layer 1a is formed on the rear surface side of an SiC wafer 1 to generate warpage in a downward convex direction. As a result, even when warpage in an upward convex direction is generated by ion implantation, forming the fracture layer 1a in advance allows the cancellation by the warp in the downward convex direction, and the warpage in the upward convex direction can be reduced. Therefore, in each step of the manufacturing process of the SiC semiconductor device, the SiC wafer 1 is prevented from being hindered in transportation due to the influence of the warpage, and the SiC wafer 1 can be transported accurately.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】反り矯正のための溝を形成する手法とは異なる手法でＳｉＣウェーハの反りを抑制する。【解決手段】イオン注入を行う前に、ＳｉＣウェーハ１の裏面側に破砕層１ａを形成することで下凸方向の反りを発生させる。これにより、イオン注入を行うことで上凸方向の反りを発生させることになっても、予め破砕層１ａを形成することで発生させていた下凸方向の反りによってキャンセルすることが可能となって、上凸方向の反りを軽減できる。したがって、ＳｉＣ半導体装置の製造工程における各工程において、反りの影響でＳｉＣウェーハ１の搬送に支障をきたすことが抑制され、ＳｉＣウェーハ１を的確に搬送することが可能となる。【選択図】図１