MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide a technique of solving the warpage of a semiconductor substrate, suitable in manufacture of a semiconductor device having a semiconductor element formed on a front surface and having a functional layer also on a back surface.SOLUTION: A manufacturing method disclosed herein includes a diffusion layer forming step of forming a diffusion layer where a warpage solving ion is diffused by injecting the warpage solving ion to a back surface of a semiconductor substrate, and a diffusion layer removing step of removing the entire diffusion layer. In the manufacturing method disclosed herein, the warpage of the semiconductor substrate is solved by injecting the warpage solving ion. Then, a layer (diffusion layer) where the warpage solving ion has been injected is removed entirely. Thus, a functional layer can be formed freely on the back surface of the semiconductor substrate.SELECTED DRAWING: Figure 3 【課題】本明細書は、半導体基板の反りを解消する技術であって、おもて面に半導体素子が形成されているとともに裏面にも機能層を有する半導体装置の製造に適した技術を提供する。【解決手段】本明細書が開示する製造方法は、半導体基板の裏面に反り解消イオンを注入して反り解消イオンが拡散している拡散層を形成する拡散層形成工程と、拡散層を全て除去する拡散層除去工程を備える。本明細書が開示する製造方法では、反り解消イオンを注入することで半導体基板の反りを解消する。そして、反り解消イオンが注入された層（拡散層）を、全て除去する。それゆえ、半導体基板の裏面に自由に機能層を形成することができるようになる。【選択図】図３