SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide a transistor in which the capacitance between a drain and a source can be compensated and the frequency characteristic can be improved, and a semiconductor device including this transistor.SOLUTION: A semiconductor device includes: a gate wire that extends in a first direction and to which an input signal is transmitted; a transistor that is connected to the gate wire with a space therebetween, and includes a plurality of gate electrodes extending in a second direction orthogonal to the first direction, and a source region and a drain region provided along the first direction having each gate electrode therebetween; a drain wire disposed on each drain region and connected to the drain region, an output wire that is connected to the drain wire and to which an output signal output from the drain region is transmitted; and a stub connected to a side opposite to the gate wire, in at least any of the drain wires.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】ドレイン・ソース間容量を補償し、周波数特性を向上することができるトランジスタおよびこのトランジスタが搭載された半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、第１の方向に延伸され入力信号が伝達されるゲート配線と、前記ゲート配線に間隔を置いて接続され、前記第１の方向に直交する第２の方向に延伸する複数のゲート電極と、前記複数のゲート電極の各々を挟んで前記第１の方向に沿って設けられたソース領域およびドレイン領域とを含むトランジスタと、前記ドレイン領域の各々の上に配置され、前記ドレイン領域に接続されたドレイン配線と、前記ドレイン配線に接続され、前記ドレイン領域から出力される出力信号が伝達される出力配線と、前記ドレイン配線の少なくともいずれかにおける前記ゲート配線と反対側に接続されたスタブと、を備えている。【選択図】図１