SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND OPTICAL COUPLING DEVICE

To provide a semiconductor light-emitting device and an optical coupling device with improved light emission output.SOLUTION: A semiconductor light-emitting device includes a substrate, a first semiconductor layer with a first conductivity type, an active layer, and a second semiconductor layer with a second conductivity type. The substrate has a first energy band gap. The first semiconductor layer is provided on the substrate, and has a second energy band gap wider than the first energy band gap. The active layer includes a quantum well layer provided on the first semiconductor layer and having a third energy band gap narrower than the first and second energy band gaps, and a first barrier wall layer provided between the first semiconductor layer and the quantum well layer. The second semiconductor layer is provided on the active layer. The substrate has a higher refractive index than the first semiconductor layer. The first semiconductor layer has the same or greater refractive index than the first barrier wall layer.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】発光出力を向上させた半導体発光装置および光結合装置を提供する。【解決手段】半導体発光装置は、基板と、第１導電形の第１半導体層と、活性層と、第２導電形の第２半導体層と、を備える。前記基板は、第１エネルギーバンドギャップを有する。前記第１半導体層は、前記基板上に設けられ、前記第１エネルギーバンドギャップよりも広い第２エネルギーバンドギャップを有する。前記活性層は、前記第１半導体層上に設けられ、前記第１および第２エネルギーバンドギャップよりも狭い第３エネルギーバンドギャップを有する量子井戸層と、前記第１半導体層と前記量子井戸層との間に設けられた第１障壁層と、を含む。前記第２半導体層は、前記活性層上に設けられる。前記基板の屈折率は、前記第１半導体層の屈折率よりも大きく、前記第１半導体層の屈折率は、前記第１障壁層の屈折率と同じか、または、前記第１障壁層の屈折率よりも大きい。【選択図】図１