METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide a method for manufacturing silicon carbide semiconductor devices that can mitigate the effects of wafer warpage, etc. caused by oxide film and polysilicon on the backside, suppress ESC adsorption errors, transport errors, etc., and reduce electrical characteristic defects and electrode formation defects in semiconductor devices.SOLUTION: A method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device fabricates a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a third semiconductor layer. Next, a gate electrode is formed on the front surface of the silicon carbide semiconductor substrate through a gate insulating film. Next, a first insulating film is formed on the surface of the gate electrode. Next, the gate insulating film, gate electrode, and first insulating film formed on the back surface of the silicon carbide semiconductor substrate are simultaneously removed.SELECTED DRAWING: Figure 3 【課題】裏面の酸化膜およびポリシリコンによるウェハ反りの影響等を緩和して、ＥＳＣ吸着エラーや運送エラー等を抑制でき、半導体装置の電気特性不良や電極形成不良等を抑えることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置の製造方法は、第１半導体層、第２半導体層、第３半導体層を形成する。次に、炭化珪素半導体基板のおもて面にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する。次に、ゲート電極の表面に第１絶縁膜を形成する。次に、炭化珪素半導体基板の裏面に形成されたゲート絶縁膜、ゲート電極および第１絶縁膜を同時に除去する。【選択図】図３