POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

To obtain a power semiconductor device capable of suppressing increase in a size.SOLUTION: A power semiconductor device includes: a plurality of lead frames which is formed into a plate shape, arranged on a same plane, and forms a wiring pattern; a switching element bonded to one side of a first lea...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: TANAKA SABURO, MAEDA NAOHIDE, MUTO TAKAYA, KATO MASAKI
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To obtain a power semiconductor device capable of suppressing increase in a size.SOLUTION: A power semiconductor device includes: a plurality of lead frames which is formed into a plate shape, arranged on a same plane, and forms a wiring pattern; a switching element bonded to one side of a first lead frame; an inner lead to bond between one side of a second lead frame and a side opposite to a first lead frame side in the switching element; a mold resin which exposes at least parts of the plurality of lead frames to the outside and seals the plurality of lead frames, the switching element and the inner lead; and an electrical component. A notch recessed inward is provided on an outer periphery where the lead frames project in the mold resin, and the electrical component is arranged to overlap an area recessed by the notch.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】大型化を抑制した電力用半導体装置を得ること。【解決手段】板状に形成され、同一平面上に並べられ、配線パターンを形成する複数のリードフレームと、第一のリードフレームの一方の面に接合されたスイッチング素子と、第二のリードフレームの一方の面とスイッチング素子における第一のリードフレームの側とは反対側の面とを接合するインナーリードと、複数のリードフレームの少なくとも一部を外部に露出させて、複数のリードフレームとスイッチング素子とインナーリードとを封止するモールド樹脂と、電気部品と、を備え、モールド樹脂におけるリードフレームが突出している外周部に内側に引っ込んだ切欠きが設けられ、電気部品は切欠きにより引っ込んでいる領域に重複して配置されている。【選択図】図2