SUBSTRATE, LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE
To provide a substrate capable of laminating a nitride layer containing aluminum and gallium and having excellent crystallinity on a surface of a substrate.SOLUTION: A substrate 10 comprises an AlGaN layer L1 containing crystalline aluminum gallium nitride and a sapphire layer L2 containing crystall...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; jpn |
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Zusammenfassung: | To provide a substrate capable of laminating a nitride layer containing aluminum and gallium and having excellent crystallinity on a surface of a substrate.SOLUTION: A substrate 10 comprises an AlGaN layer L1 containing crystalline aluminum gallium nitride and a sapphire layer L2 containing crystalline α-alumina. The AlGaN layer L1 directly overlaps a surface SL2 of the sapphire layer L2. A (0001) plane of the aluminum gallium nitride is substantially in parallel to the surface SL2 of the sapphire layer L2. A full width at half maximum of a rocking curve of a (1 - 100) plane of the aluminum gallium nitride measured in an in-plane direction of a surface SL1 of the AlGaN layer L1 is from 0° or more to 0.2° or less.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】アルミニウム及びガリウムを含み、且つ結晶性に優れた窒化物層を基板の表面に積層することを可能にする基板の提供。【解決手段】基板10は、結晶質の窒化アルミニウムガリウムを含むAlGaN層L1と、結晶質のα-アルミナを含むサファイア層L2と、を備え、AlGaN層L1は、サファイア層L2の表面SL2に直接重なっており、窒化アルミニウムガリウムの(0001)面は、サファイア層L2の表面SL2に略平行であり、AlGaN層L1の表面SL1の面内方向において測定される窒化アルミニウムガリウムの(1-100)面のロッキングカーブの半値全幅は、0°以上0.2°以下である。【選択図】図1 |
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