DISPLAY DEVICE
To improve the reliability of a display device that includes a thin-film transistor using an oxide semiconductor.SOLUTION: In a display device with a thin-film transistor in each pixel, the thin-film transistor has: an oxide semiconductor layer; a gate insulating layer; a gate electrode superposed o...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | To improve the reliability of a display device that includes a thin-film transistor using an oxide semiconductor.SOLUTION: In a display device with a thin-film transistor in each pixel, the thin-film transistor has: an oxide semiconductor layer; a gate insulating layer; a gate electrode superposed on the oxide semiconductor layer via the gate insulating layer; a source electrode contacted with the oxide semiconductor layer; a drain electrode contacted with the oxide semiconductor layer; and a first metal layer contacted with the oxide semiconductor layer and arranged between the source electrode and the drain electrode so as to be separated from the source and drain electrodes.SELECTED DRAWING: Figure 4B
【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを含む表示装置の信頼性を向上させること。【解決手段】各画素に薄膜トランジスタを有する表示装置であって、前記薄膜トランジスタは、酸化物半導体層と、ゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層に重畳するゲート電極と、前記酸化物半導体層に接するソース電極と、前記酸化物半導体層に接するドレイン電極と、前記酸化物半導体層に接するとともに、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に、前記ソース電極及び前記ドレイン電極から離間して配置された第1金属層と、を有する。【選択図】図4B |
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